石墨烯薄膜制备 | “大咖开讲——石墨烯的那点事儿”线上主题活动系列十 - 联盟动态 - 国家石墨烯创新中心石墨烯联盟(CGIA)
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石墨烯薄膜制备 | “大咖开讲——石墨烯的那点事儿”线上主题活动系列十

 

  9月5日晚上8点,中科院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师谢晓明应邀做客中国石墨烯产业技术创新战略联盟线上主题活动:大咖开讲——石墨烯的那点事儿。
  本次讲座的主题为:石墨烯薄膜制备。谢晓明教授主要分两部分做了讲解:石墨烯材料与应用简介、上海微系统所石墨烯薄膜制备进展。
  在第一部分,谢教授以一篇212页的论文引入话题,图文并茂地讲解了石墨烯的特性、应用领域,以及技术发展路线图。
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  第二部分微系统所石墨烯薄膜的制备进展是本次讲座的重点,谢晓明教授结合诺贝尔奖获得者的一篇文章,总结了薄膜应用的两方面:石墨烯面板及石墨烯晶圆。
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  上海微系统所的石墨烯研究比较全面,谢教授从金属催化石墨烯生长、hBN绝缘衬底上的石墨烯生长两方面做了详细介绍。金属催化石墨烯生长又分三种情况:大单晶畴石墨烯生长控制(固态源)、大晶畴多晶石墨烯晶圆(气态源)、石墨烯单晶晶圆(合金衬底)。谢教授比较详细的说明了固态源的实验构型和参数、固态源的优势、缺陷与石墨烯行核、确定临界行核碳源温度、成核控制、生长参数优化、驱动连续生长等问题。
  关于hBN绝缘衬底上的石墨烯生长,谢教授重点介绍了以下几个部分:实现原理演示、阐明成核机理、确定取向关系、实现高速生长、实现大晶畴hBN的CVD制备。最后,谢教授对金属和合金上的石墨烯生长、hBN衬底上的石墨烯生长两部分做了精炼总结。
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  在提问环节,谢晓明教授针对网友提出的降低污染、硅上扩散、如何生长1.5英寸单晶石墨烯、绝缘衬底生长石墨烯、石墨烯晶圆未来将产生的影响、转移等问题,做了及时回答,互动气氛活跃。
 
 
获取精彩报告内容,请到中国石墨烯创新联盟(群号296531551)群文件中下载。
 
 
嘉宾简介:
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  谢晓明——2015中国国际石墨烯创新大会之“石墨烯在光电领域的应用”分会场 中方分会主席
  谢晓明,中科院上海微系统与信息技术研究所研究员,博士生导师,信息功能材料国家重点实验室副主任,国家重大专项“晶圆级石墨烯材料与器件基础研究”负责人。2015中国国际石墨烯创新大会“石墨烯在光电应用领域”中方分会主席。
  谢晓明研究员主要从事石墨烯、拓扑绝缘体、超导等量子新材料与器件研究。在石墨烯方向,主要采用化学气相沉积(CVD)方法研究石墨烯单晶薄膜的制备。在六角氮化硼(hBN)衬底上石墨烯制备方面,带领团队先后实现hBN上直接生长石墨烯的原理演示、弄清成核机理、确定并严格控制石墨烯和hBN衬底的取向关系,发现气态活化剂,将hBN衬底上的石墨烯生长速度由每分钟纳米级提升至微米级。在金属催化石墨烯制备方面,带领团队发现等温析出新机制,在合金衬底上实现单晶核控制和晶圆级石墨烯单晶的高速生长。



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